存儲芯片，強勢反彈！

3月10日，在韓國證券市場上，存儲芯片巨頭SK海力士、三星電子的股價雙雙大漲。盤中，SK海力士漲幅一度超過13%，三星電子漲幅一度超過10%。

當天，A股存儲芯片概念股也集體拉升，板塊指數(shù)漲幅超過2%。截至中午收盤，聯(lián)瑞新材漲超17%，鉑科新材、科翔股份漲超10%。

從消息面來看，全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈傳出多則利好消息：一是，SK海力士和三星電子被選為英偉達Rubin HBM4供應商，預計本月開始出貨；二是，SK海力士今日表示，已開發(fā)出一種先進的LPDDR6動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）產(chǎn)品，專為具有人工智能（AI）功能的移動設備而定制；三是，本周一，英偉達CEO黃仁勛喊話DRAM廠盡管擴產(chǎn)，稱“有多少就買多少”。

存儲芯片概念股大漲

在經(jīng)歷了多日的震蕩后，全球存儲芯片概念股強勢歸來。今日盤中，SK海力士一度漲超過13%，三星電子一度漲超10%。隔夜，美股市場上，存儲概念股也集體大漲，閃迪漲超11%，西部數(shù)據(jù)漲近7%，美光科技漲超5%。

A股存儲芯片板塊今日也大幅走高，截至中午收盤，板塊指數(shù)漲幅超過2%，聯(lián)瑞新材漲17.65%，鉑科新材漲超14%，科翔股份漲超10%，炬光科技漲超9%，壹石通漲超8%，偉測科技、天馬新材漲超7%，太極實業(yè)、南亞新材、珂瑪科技等紛紛走強。

分析人士指出，國際油價的回調(diào)，緩解了市場對通脹的擔憂，這有利于成長股的行情演繹。此外，存儲芯片行業(yè)傳出多則利好消息，對板塊的情緒提振較大。

據(jù)韓國媒體報道，三星電子與SK海力士雙雙入圍英偉達新一代AI加速器Vera Rubin的供應商名單。由于HBM4從DRAM晶圓到最終封裝需要六個多月，兩家公司預計最快本月啟動生產(chǎn)。

報道稱，盡管Vera Rubin所用HBM4的分配量和定價尚未確定，但消息人士預計，包括HBM3E在內(nèi)，SK海力士將在2026年NVIDIA的HBM總供應中占據(jù)過半份額，而三星電子則將主導Vera Rubin專用HBM4的供應。根據(jù)TrendForce預測，SK海力士仍將引領全球HBM比特產(chǎn)量，份額為50%（低于2025年的59%），而三星電子的份額則從20%攀升至28%。

值得關注的是，報道稱英偉達要求Vera Rubin所用HBM4的數(shù)據(jù)傳輸速率超過10Gb/s，遠高于JEDEC行業(yè)標準設定的8Gb/s標準。據(jù)報道，三星電子已有效通過英偉達在10Gb/s和11Gb/s兩個級別進行的HBM4認證測試，而SK海力士仍在優(yōu)化其產(chǎn)品以通過11Gb/s速率測試。

另外，本周二，SK海力士表示，公司已開發(fā)出一種先進的LPDDR6動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）產(chǎn)品，專為具有人工智能（AI）功能的移動設備而定制。

SK海力士表示，基于第六代10納米工藝技術的16Gb LPDDR6 DRAM在2026年1月的CES 2026上展出后，已完成驗證過程。這家芯片制造商在一份聲明中表示：“SK海力士計劃在今年上半年完成量產(chǎn)準備工作，并在下半年開始供應產(chǎn)品，從而擴大我們針對人工智能應用優(yōu)化的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品線。”

SK海力士稱，這款新產(chǎn)品將應用于配備終端AI功能的智能手機和平板電腦等移動設備。該公司表示，與上一代產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。此外，新產(chǎn)品還將幫助消費者享受更長的電池續(xù)航時間和更優(yōu)化的多任務處理性能。

產(chǎn)業(yè)鏈漲價傳聞不斷

據(jù)環(huán)球網(wǎng)援引韓國媒體Sedaily報道，近期，全球NAND閃存市場迎來持續(xù)漲價潮，市場份額位居首位的三星電子宣布計劃在2025年第二季度再次上調(diào)核心NAND產(chǎn)品供應價格，上調(diào)幅度預計與今年第一季度持平。

據(jù)了解，三星電子已在今年第一季度將NAND閃存產(chǎn)品價格較上一季度上調(diào)約100%。若第二季度延續(xù)相同漲幅，其NAND產(chǎn)品價格較去年年底將累計上漲約200%。業(yè)內(nèi)人士表示，盡管不同客戶的最終成交價格或存在小幅差異，但三星此次確定的整體漲價幅度基本不會出現(xiàn)明顯變動。

不僅是三星電子，整個NAND閃存行業(yè)的漲價預期正持續(xù)升溫。有半導體行業(yè)高層人士透露，當前存儲芯片制造商的議價能力達到歷史高位，下游需求方企業(yè)大多只能被動接受報價，SK海力士、鎧俠等頭部廠商也在籌備進一步上調(diào)NAND產(chǎn)品價格。市場數(shù)據(jù)也印證了這一趨勢，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，上月NAND通用產(chǎn)品128Gb MLC閃存顆粒平均固定交易價格漲至12.67美元，環(huán)比上漲33.9%，同比漲幅更是高達452.3%。

此次NAND閃存價格持續(xù)走高，背后是多重市場因素的共同推動。一方面，人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展進入關鍵階段，AI技術從數(shù)據(jù)訓練階段逐步向推理階段演進，對大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲的需求與日俱增，NAND存儲的產(chǎn)業(yè)價值進一步凸顯。同時，各大科技企業(yè)紛紛加大對AI數(shù)據(jù)中心的投資布局，直接帶動存儲設備需求快速攀升，成為推高NAND閃存價格的核心動因。

另一方面，市場供應端的收緊也加劇了價格上漲態(tài)勢。目前NAND市場排名前兩位的三星電子和SK海力士，均將生產(chǎn)重點向HBM等高附加值半導體產(chǎn)品轉移，大幅縮減了NAND閃存的產(chǎn)量。在供需失衡的背景下，業(yè)內(nèi)普遍預計，NAND閃存價格的上漲趨勢在短期內(nèi)難以逆轉，仍將持續(xù)一段時間。

本周一，英偉達CEO黃仁勛向全球存儲芯片廠商喊話稱，盡管擴產(chǎn)，有多少就買多少。

當天，黃仁勛在摩根士丹利科技大會上表示，芯片供給短缺對英偉達而言是“極好的消息”，因為資源受限會促使客戶更傾向于直接選擇性能最強的解決方案。他向DRAM廠商喊話：“產(chǎn)能擴多少，我們（英偉達）就會用掉多少。”

排版：楊喻程

校對：王蔚