3月11日晚間，斯達半導公告稱，公司于近日收到中國證監會出具的《關于同意斯達半導體股份有限公司向不特定對象發行可轉換公司債券注冊的批復》，同意公司向不特定對象發行可轉換公司債券的注冊申請。

據可轉債募集說明書申報稿，本次公司擬募集資金總額不超過15億元，計劃投向車規級SiC MOSFET模塊制造項目、IPM模塊制造項目、車規級GaN模塊產業化項目及補充流動資金項目。

公司自成立以來一直專注于以IGBT和SiC為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發、生產及銷售。在SiC領域，公司自2020年起陸續獲得了國內外多個SiC MOSFET主電機控制器項目定點，并于2022年實現國內首個800V高壓SiC主電機控制器平臺批量裝車。目前，公司車規級SiC MOSFET芯片和模塊已經在國內外主流整車廠多車型大批量裝車，產品銷量持續快速增長。

從行業情況來看，根據Omdia的數據，2023年全球功率半導體市場規模約503億美元，預計2027年將增長至596億美元。

對于本次發行的目的，斯達半導介紹，通過車規級SiC MOSFET模塊制造項目和車規級GaN模塊產業化項目的實施，公司將充分利用自身在新能源汽車領域的行業地位及技術優勢，把握新能源汽車領域快速發展的歷史機遇，滿足客戶對車規級第三代功率模塊的技術和市場需求。

同時，公司表示，通過IPM模塊制造項目的實施，公司將依托現有優質家電行業客戶群體，加快IPM模塊在白色家電領域的市場滲透，推動產品在變頻白色家電等應用場景中的規模化配套，進一步提升公司在白色家電領域的市場占有率與行業地位。

效益方面，據披露，車規級SiC MOSFET模塊制造項目建設周期為3年，據測算，項目內部收益率為18.45%（所得稅后），預計投資回收期（所得稅后）為7.88年（含建設期3年）。

IPM模塊制造項目建設周期為4年，項目內部收益率為16.00%（所得稅后），預計投資回收期（所得稅后）為8.46年（含建設期4年）；車規級GaN模塊產業化項目建設周期亦為4年，項目內部收益率為18.73%（所得稅后），預計投資回收期（所得稅后）為8.06年（含建設期4年）。

談及對公司財務的影響，斯達半導認為，新建項目產生效益需要一定的過程和時間，若本次發行的可轉債轉股較快，募投項目效益尚未完全實現，則可能出現每股收益等財務指標在短期內小幅下滑的情況。但是，隨著本次募集資金投資項目的有序開展，公司的發展戰略將得以有效實施，公司未來的盈利能力、經營業績將會得到提升。